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三极管和MOS管抗静电效果比较

日期:2024-04-25 13:09
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摘要:
三极管和MOS管抗静电效果比较
    三极管和MOS管都是ESD的敏感元器件,但对ESD的抵抗能力,有没有优劣之分呢?如果您是从事EMC电子开发设计的,您可能会有这样的经验,相对来说,三极管比MOS管的抗静电效果要强得多。为什么会这样呢?
    可从两种元件的工作原理来分析:三极管是电流驱动元件,MOS管是电压驱动元件,MOSFET的栅极源极之间是绝缘的,其GS之间有一个电容。根据U=Q/C, 结电容很小,一般PF级,只要GS之间感应了极小的电量,那么这个电压将是惊人的。而这个电压不能泄放(因为GS电阻极大)一般的击坏都是GS之间损坏。三极管是电流驱动设计,而且可以用分压电阻形成对地的泻流通路,如果不主动去驱动,静电电流是不可能意外驱动三极管的。所以就会有:MOS管,“摸死管”的比喻,“摸死管”就是指静电太容易打死了。
    如果要想提高MOS管的抗静电能力,一般可以在输入端串联电阻+并联电容的方案解决。
    静电放电发生器的详细参数,请参阅链接:www.dgzhongsheng.com/ProductShow.asp。

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